半导体可以根据不同的制造工艺进程分为多个不同的“代”，通常划分为以下几代：

1. 第一代：使用晶体管技术，制程尺寸大于10微米，主要应用于20世纪60年代。

2. 第二代：使用MOS（金属-氧化物半导体）技术，制程尺寸在1-10微米之间，主要应用于70年代到80年代初。

3. 第三代：使用CMOS（互补金属氧化物半导体）技术，制程尺寸在0.1-1微米之间，主要应用于80年代中期到90年代初。

4. 第四代：采用深次微米工艺和量子效应，在发展至今已经达到了14纳米甚至更小的级别。现在的主流处理器就是采用第四代半导体工艺所生产的。

值得注意的是，随着科技的不断进步和发展，目前已经有了第五代、第六代甚至更高级别的半导体产生。